0
SiC器件具备的卓越性能,使其成为HEV电力驱动装置中的理想器件,可以显著减小电力电子驱动系统的体积、重量和成本,提高电机驱动的功率密度,从而增加电动车的行驶里程。此外,电动汽车有各种电能变换的需求,采用碳化硅器件能够大幅度缩小装备的体积,并显著降低损耗。因此,不管是应用在电动汽车充电桩、电控模块还是车载充电模块上,碳化硅技术都能带来较大的优势。
(1)SiC器件在EV/HEV上的应用主要包括电机驱动系统逆变器、电源转换系统(车载DC/DC)、电动汽车车载充电系统(OBC)及非车载充电桩等方面。电驱动系统作为新能源汽车的“心脏”,直接影响到整车的能源效率、续航里程等。对新能源汽车整车使用性能具有较大影响。
尽管碳化硅器件成本较高,但它推进了电池成本的下降和续航里程的提升,降低了单车成本,无疑是新能源汽车最佳选择。其中,SiCSBD、SiCMOSFET器件主要应用于OBC与DC/DC,SiCMOSFET主要用于电驱动。
(2)对于电动汽车充电桩,在众多的充电桩解决方案中,现在消费者最感兴趣的是直流快充模式。但是直流快充模式的充电桩需要非常大的充电功率以及非常高的充电效率,这些都需要通过高电压来实现。在电动汽车充电桩的应用里,碳化硅无论是在Boost,还是输出的二极管,目前有很多使用主开关的碳化硅MOSFET电动汽车充电桩方案,其应用前景非常广阔。
相关资讯
最新产品
同类文章排行
- 国内碳化硅功率器件离正式量产还有一段距离
- 国内碳化硅外延的难点
- 国内碳化硅衬底的难点
- 碳化硅功率器件的性能优势
- 三种生长SiC单晶用SiC粉体制备方法的优缺点
- 碳化硅晶圆生产用高纯碳化硅粉制备方法
- 碳化硅粉在碳化硅晶圆生产中的应用
- 碳化硅功率器件的多功能集成封装技术和散热技术介绍
- 碳化硅功率器件的高温封装技术介绍
- 碳化硅功率器件的低杂散电感封装技术介绍